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美国将复活90纳米工艺，性能50倍于7纳米芯片
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摘要：ERI计划中，SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺，而是用90nm工艺制造3D SoC芯片，通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可达7nm芯片的50倍。 相比台积电、
ERI计划中，SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺，而是用90nm工艺制造3D SoC芯片，通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可达7nm芯片的50倍。
相比台积电、#FormatAID_0#、Intel等半导体公司，SkyWater不仅规模小，而且资历也浅，2017年成立，晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先进，主要生产130nm及90nm，部分先进芯片才到65nm级别。
日前，美国晶圆厂SkyWater宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助，后者将给予2700万美元以推动开发90nm战略抗辐射 (RH90) FDSOI 技术平台，总投资计划高达1.7亿美元。
编者：众所周知，在先进芯片工艺上，美国厂商落后于台积电和三星，这两家无论是现有量产或者即将量产的7nm、5nm及3nm都遥遥领先。然而美国似乎并不甘心于此，想要弯道超车的他们计划复活90nm工艺，并表示制造出来的芯片性能是7nm芯片的50倍。当然，就目前而言，这项技术还没有实现完全突破，毕竟这种做法是史无前例的，用旧工艺来超越现有的先进工艺。但若是成功，这或许会是改变半导体行业规则的新技术。
然而他们却得到了美国DARPA的青睐，成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划，该计划在5年内投资15亿美元，推动美国半导体行业发展。
文章来源：《铁合金》 网址: http://www.thjgw.cn/zonghexinwen/2022/0718/366.html